(三)可控硅控制回路基本原理  2006.9.1

    本节我们来探讨可控硅控制回路是怎样工作的？

    上面是可控硅半波整流电路原理图。上节曾提到要使可控硅导通，必须有适当的正向阳极电压和正向控制极电压。在下面的波型图中，当交流电源是正半周时，可控硅阳极电压为正性，这时只要向控制极加入适当的正向电压，可控硅就会导通，负载上就会有电流通过。

 当交流电源是负半周时，可控硅阳极电压为负性，这时不论有无控制极电压，可控硅不会导通，负载上也没有电流通过，直到交流电源下一周的正半波出现，并在相应时刻加入正向控制电压，可控硅再次导通，如此不断进行导通循环，在负载上就得到了直流脉动电流，如上图A所示。

如果在可控硅承受正向阳极电压时间内改变正向控制电压的输入时刻，这种变化称为控制电压的移相，这时正向控制电压是以脉冲电压形式出现，如果将脉冲电压出现的时刻任意移动，也就是改变了可控硅的导通时刻，负载上得到的电压也随之改变，从而达到了调节电压的目的，如上图B所示。

可控硅在正向阳极电压下不导通的范围称为控制角，如上图A中0—ωt1;称导通范围为导通角，如上图B中ωt2—π。显而易见正向脉冲电压越前沿，导通角就越大，输出电压就越高。

上例的半波可控硅整流电路因率低，仅用在要求不高的场合。根据上述原理还可以组成多种形式的全波可控硅整流电路，这种电路在交流电的正负半周内都有经过可控硅调节后的电流通过负载，使输出功率成倍提高，在实际应用中获得了广泛采用。下面是其原理示意图。

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